AON3816_101

MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN
AON3816_101 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON3816_101

Numéro d'article
AON3816_101
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 20V 4A 8-DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article AON3816_101
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1100pF @ 10V
Puissance - Max 2.5W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SMD, Flat Lead
Package de périphérique fournisseur 8-DFN (3x3)

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