AON1606_001

MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
AON1606_001 P1
AON1606_001 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AON1606_001

Numéro d'article
AON1606_001
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET N-CH 20V 0.7A 3DFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article AON1606_001
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 700mA (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 850nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 62.5pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 275 mOhm @ 400mA, 4.5V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 3-DFN (1.0 x 0.60)
Paquet / cas 3-UFDFN

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