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BOM

AOC2800

MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Matrices › AOC2800
AOC2800 P1
AOC2800 P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOC2800

Numéro d'article
AOC2800
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET 2N-CH 4WLCSP
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- AOC2800 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article AOC2800
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.1nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Puissance - Max 1.3W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 4-UFBGA, WLCSP
Package de périphérique fournisseur 4-WLCSP (1.57x1.57)

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