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BOM

AOB411L

MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Accueil › catégories de produits › Produits à semiconducteurs discrets › Transistors - FET, MOSFET - Simples › AOB411L
AOB411L P1
AOB411L P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOB411L

Numéro d'article
AOB411L
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET P-CH 60V 8A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
AOB411L.pdf AOB411L PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article AOB411L
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 8A (Ta), 78A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 100nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 6400pF @ 30V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.1W (Ta), 187W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16.5 mOhm @ 20A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263 (D²Pak)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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