AOB25S65L

MOSFET N-CH 650V 25A TO263
AOB25S65L P1
AOB25S65L P1
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Alpha & Omega Semiconductor Inc. ~ AOB25S65L

Numéro d'article
AOB25S65L
Fabricant
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
La description
MOSFET N-CH 650V 25A TO263
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article AOB25S65L
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 26.4nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1278pF @ 100V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 357W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 190 mOhm @ 12.5A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur TO-263 (D²Pak)
Paquet / cas TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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