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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | VS-GA300TD60S |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 530A |
| Leistung max | 1136W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 1.45V @ 15V, 300A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 750µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | - |
| Eingang | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Dual INT-A-PAK (3 + 8) |
| Lieferantengerätepaket | Dual INT-A-PAK |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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VS-GA100NA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 100A 250W SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GA100TS120UPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 1200V 182A 520W INT-A-PAK | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GA100TS60SF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GA100TS60SFPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 220A 780W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GA200HS60S1 | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GA200HS60S1PBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 480A 830W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GA200SA60SP | Vishay Semiconductor Diodes Division | MODULE IGBT SOT-227 | 0 | Einzelheiten | |
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VS-GA200SA60UP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 200A 500W SOT-227 | - | 128 | Einzelheiten |
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VS-GA200TH60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 260A 1042W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GA250SA60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 400A SOT227 | - | 161 | Einzelheiten |
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VS-GA300TD60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 530A 1136W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-GA400TD60S | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 750A 1563W INT-A-PAK | - | 0 | Einzelheiten |