VS-CPV363M4UPBF

MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
VS-CPV363M4UPBF P1
VS-CPV363M4UPBF P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ VS-CPV363M4UPBF

Artikelnummer
VS-CPV363M4UPBF
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer VS-CPV363M4UPBF
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Aufbau -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 13A
Leistung max 36W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 6.8A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 1.1nF @ 30V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall 19-SIP (13 Leads), IMS-2
Lieferantengerätepaket IMS-2

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