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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | VS-100MT060WSP |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| IGBT-Typ | - |
| Aufbau | Single |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 107A |
| Leistung max | 403W |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.49V @ 15V, 60A |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100µA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 9.5nF @ 30V |
| Eingang | Single Phase Bridge Rectifier |
| NTC-Thermistor | Yes |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | 12-MTP Module |
| Lieferantengerätepaket | MTP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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VS-100BGQ015HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 15V 100A POWERTAB | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-100BGQ030 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWIRTAB | 0 | Einzelheiten | |
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VS-100BGQ030HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-100BGQ045 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWIRTAB | 0 | Einzelheiten | |
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VS-100BGQ045HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 45V 100A POWERTAB | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-100BGQ100 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 100V 100A POWIRTA | - | 343 | Einzelheiten |
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VS-100BGQ100HF4 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE SCHOTTKY 30V 100A POWERTAB | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-100MT060WDF | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT 600V 121A 462W MTP | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-100MT060WSP | Vishay Semiconductor Diodes Division | IGBT | - | 0 | Einzelheiten |
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VS-100MT160P-P | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP | - | 105 | Einzelheiten |
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VS-100MT160PAPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE BRDG 3PHS 1600V 100A INTPK | 41 | Einzelheiten | |
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VS-100MT160PBPBF | Vishay Semiconductor Diodes Division | MOD BRIDGE 3PH 100A 1600V MTP | - | 100 | Einzelheiten |