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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQJ469EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 32A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 155nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 5100pF @ 40V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 100W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 10.2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SQJ460AEP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 32A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SQJ461EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 30A | - | 0 | Einzelheiten |
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SQJ463EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 30A | - | 0 | Einzelheiten |
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SQJ464EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 32A POWERPAKSO-8 | - | 150575 | Einzelheiten |
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SQJ465EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 60V 8A POWERPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SQJ469EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 32A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |