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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQJ422EP-T1_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 74A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4660pF @ 20V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 83W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 3.4 mOhm @ 18A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SQJ420EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 30A POWERPAKSOL | - | 166549 | Einzelheiten |
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SQJ422EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 75A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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SQJ423EP-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 40V 55A SO8 | - | 0 | Einzelheiten |