Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SQD50N04-5M6L_GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 40V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.6 mOhm @ 20A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4000pF @ 25V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 71W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | TO-252AA |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SQD50N04-09H-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
|
SQD50N04-4M5L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | - | 55786 | Einzelheiten |
|
SQD50N04-5M6L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | - | 110592 | Einzelheiten |
 |
SQD50N04-5M6_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO-252 | - | 0 | Einzelheiten |
|
SQD50N04-5M6_T4GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 50A TO252AA | - | 87977 | Einzelheiten |
 |
SQD50N05-11L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 50A TO252 | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SQD50N06-09L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 50A | - | 0 | Einzelheiten |
 |
SQD50N10-8M9L_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 100V TO252 | - | 0 | Einzelheiten |