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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIZ200DT-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 28nC @ 10V, 30nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1510pF @ 15V, 1600pF @ 15V |
| Leistung max | 4.3W (Ta), 33W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PowerPair® (3.3x3.3) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIZ200DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DUAL 30V | - | 135214 | Einzelheiten |