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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIUD406ED-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 500mA (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.46 Ohm @ 200mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 0.6nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 17pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.25W (Ta) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 0806 |
| Paket / Fall | PowerPAK® 0806 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIUD401ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 30V POWERPAK 0806 | - | 620853 | Einzelheiten |
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SIUD402ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 1A POWERPAK0806 | - | 755710 | Einzelheiten |
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SIUD406ED-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 30-V POWERPAK 0806 | - | 603115 | Einzelheiten |