Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SISF00DN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 60A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 53nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 15V |
| Leistung max | 69.4W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8SCD |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SISF00DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET DUAL N-CH 30V POWERPAK 12 | - | 94424 | Einzelheiten |