Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIS932EDN-T1-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 6A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 10A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1000pF @ 15V |
| Leistung max | 2.6W (Ta), 23W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SIS932EDN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8 | - | 257316 | Einzelheiten |