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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIHD2N80E-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 800V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.8A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 2.75 Ohm @ 1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19.6nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 315pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 62.5W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | D-PAK (TO-252AA) |
| Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIHD240N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 600V DPAK TO-252 | - | 50488 | Einzelheiten |
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SIHD2N80E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 2.8A DPAK | - | 97947 | Einzelheiten |