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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIA923EDJ-T4-GE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Preliminary |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Ta), 4.5A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 25nC @ 8V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 1.9W (Ta), 7.8W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SC-70-6 Dual |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIA923AEDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6L | 0 | Einzelheiten | |
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SIA923EDJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC-70-6 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIA923EDJ-T4-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V SC-70-6 | - | 21008 | Einzelheiten |