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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI8902AEDB-T2-E1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 24V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 5.7W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 6-UFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI8902AEDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | N-CHANNEL 24-V D-S MOSFET | - | 196000 | Einzelheiten |
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SI8902B-A01-GS | Silicon Labs | IC ADC 10BIT SPI/SRL SOIC | - | 100 | Einzelheiten |
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SI8902B-A01-GSR | Silicon Labs | IC ADC 10BIT SPI/SRL SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI8902D-A01-GS | Silicon Labs | IC ADC 10BIT SPI/SRL SOIC | - | 95 | Einzelheiten |
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SI8902D-A01-GSR | Silicon Labs | IC ADC 10BIT SPI/SRL SOIC | - | 0 | Einzelheiten |
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SI8902EDB-T2-E1 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP | - | 6000 | Einzelheiten |