Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI7172ADP-T1-RE3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | - |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 7.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.1V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 19.5nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1110pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 125°C |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PowerPAK® SO-8 |
| Paket / Fall | PowerPAK® SO-8 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
SI7172ADP-T1-RE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CHAN 200V POWERPAK SO-8 | - | 115730 | Einzelheiten |
 |
SI7172DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8 | - | 0 | Einzelheiten |