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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SI2301BDS-T1-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 2.2A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 375pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 100 mOhm @ 2.8A, 4.5V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SI2300-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 866581 | Einzelheiten |
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SI2300DS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23 | - | 36000 | Einzelheiten |
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SI2301-TP | Micro Commercial Co | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI2301A-TP | Micro Commercial Co | P-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 866581 | Einzelheiten |
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SI2301BDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | - | 81000 | Einzelheiten |
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SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | - | 3000 | Einzelheiten |
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SI2301CDS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | - | 84000 | Einzelheiten |
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SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3 | - | 108000 | Einzelheiten |
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SI2302-TP | Micro Commercial Co | MOSFET N-CH 20V 3A SOT-23 | - | 15000 | Einzelheiten |
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SI2302A-TP | Micro Commercial Co | N-CHANNELMOSFETSSOT-23 PACKAGE | - | 469591 | Einzelheiten |
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SI2302ADS-T1 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |
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SI2302ADS-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | - | 0 | Einzelheiten |