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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | S10CGHM3/I |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Dioden-Typ | Standard |
| Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) | 400V |
| Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) | 10A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1V @ 10A |
| Geschwindigkeit | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | 5µs |
| Strom - Rückwärtsleckage @ Vr | 10µA @ 400V |
| Kapazität @ Vr, F | 79pF @ 4V, 1MHz |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | DO-214AB, SMC |
| Lieferantengerätepaket | DO-214AB (SMC) |
| Betriebstemperatur - Kreuzung | -55°C ~ 150°C |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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S10C011P | APEM Inc. | RESISTIVE JOYSTICK | - | 0 | Einzelheiten |
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S10C031J | APEM Inc. | 2 AXIS STANDARD JOYSTICK | - | 0 | Einzelheiten |
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S10CG-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB | - | 244878 | Einzelheiten |
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S10CGHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB | - | 204534 | Einzelheiten |
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S10CJ-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 400V 10A DO214AB | - | 244878 | Einzelheiten |
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S10CJHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 600V 10A DO214AB | - | 207205 | Einzelheiten |
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S10CK-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB | - | 168354 | Einzelheiten |
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S10CKHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 800V 10A DO214AB | - | 168010 | Einzelheiten |
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S10CM-M3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB | - | 168354 | Einzelheiten |
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S10CMHM3/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 1KV 10A DO214AB | - | 175673 | Einzelheiten |