RGF1BHE3/67A

DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
RGF1BHE3/67A P1
RGF1BHE3/67A P1
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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ RGF1BHE3/67A

Artikelnummer
RGF1BHE3/67A
Hersteller
Vishay Semiconductor Diodes Division
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer RGF1BHE3/67A
Teilstatus Active
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 1A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.3V @ 1A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 150ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F 8.5pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-214BA
Lieferantengerätepaket DO-214BA (GF1)
Betriebstemperatur - Kreuzung -65°C ~ 175°C

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