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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPN22006NH,LQ |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 9A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 100µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 710pF @ 30V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 700mW (Ta), 18W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Paket / Fall | 8-PowerVDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPN22006NH,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N CH 60V 9A 8-TSON | - | 0 | Einzelheiten |