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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPCP8J01(TE85L,F,M |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 32V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.5A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 35 mOhm @ 3A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 34nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1760pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 2.14W (Ta) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PS-8 |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPCP8J01(TE85L,F,M | Toshiba Semiconductor and Storage | X35 PB-FREE POWER MOSFET TRANSIS | - | 227104 | Einzelheiten |