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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RN2910FE,LF(CB |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 4.7k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 200MHz |
| Leistung max | 100mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | ES6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RN2910(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | Einzelheiten |
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RN2910FE,LF(CB | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 8000 | Einzelheiten |
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RN2910FE,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 2459304 | Einzelheiten |
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RN2911(T5L,F,T) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 0 | Einzelheiten |
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RN2911,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6 | - | 9000 | Einzelheiten |
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RN2911FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6 | - | 0 | Einzelheiten |