RN2413TE85LF

TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
RN2413TE85LF P1
RN2413TE85LF P1
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Toshiba Semiconductor and Storage ~ RN2413TE85LF

Artikelnummer
RN2413TE85LF
Hersteller
Toshiba Semiconductor and Storage
Beschreibung
TRANS PREBIAS PNP 0.2W SMINI
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- RN2413TE85LF PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer RN2413TE85LF
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 47k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) -
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Frequenz - Übergang 200MHz
Leistung max 200mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket S-Mini

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