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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | RN1111,LF(CT |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| Transistor-Typ | NPN - Pre-Biased |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 10k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | - |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
| Frequenz - Übergang | 250MHz |
| Leistung max | 100mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SC-75, SOT-416 |
| Lieferantengerätepaket | SSM |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RN1101,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | 0 | Einzelheiten | |
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RN1101ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1101CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1101MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1102,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1W SSM | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1102ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1102CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | 0 | Einzelheiten | |
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RN1102MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 50V 0.15W VESM | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1102T5LFT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | 0 | Einzelheiten | |
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RN1103,LF(CT | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | 3000 | Einzelheiten | |
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RN1103ACT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3 | - | 0 | Einzelheiten |
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RN1103CT(TPL3) | Toshiba Semiconductor and Storage | TRANS PREBIAS NPN 0.05W CST3 | 0 | Einzelheiten |