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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TSM650P02CX RFG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4.1A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 3A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.1nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 515pF @ 10V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 1.56W (Tc) |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23 |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TSM6502CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8PDFN | - | 245517 | Einzelheiten |
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TSM650N15CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 150V 24A 8PDFN | - | 130674 | Einzelheiten |
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TSM650N15CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CHANNEL 150V 9A 8SOP | - | 139717 | Einzelheiten |
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TSM650P02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 20V 4.1A SOT23 | - | 682630 | Einzelheiten |
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TSM650P03CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 30V 4.1A SOT23 | - | 713235 | Einzelheiten |