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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TSM200N03DPQ33 RGG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Standard |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 20A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 10A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 4nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 345pF @ 25V |
| Leistung max | 20W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerWDFN |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDFN (3x3) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TSM200N03DPQ33 RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN | - | 377876 | Einzelheiten |