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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TSM085P03CS RLG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | P-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 34A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 8.5 mOhm @ 13A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3216pF @ 15V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 14W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-SOP |
| Paket / Fall | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TSM080N03EPQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 55A 8PDFN | - | 322149 | Einzelheiten |
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TSM080N03PQ56 RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 73A 8PDFN | - | 322149 | Einzelheiten |
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TSM085N03PQ33 RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN | - | 357353 | Einzelheiten |
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TSM085P03CS RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CHANNEL 30V 34A 8SOP | - | 271812 | Einzelheiten |
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TSM085P03CV RGG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET P-CH 30V 64A 8PDFN | - | 278525 | Einzelheiten |
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TSM088NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 61A 8PDFN | - | 297646 | Einzelheiten |
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TSM089N08LCR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 80V 67A 8PDFN | - | 117666 | Einzelheiten |