HS3M R7G

DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
HS3M R7G P1
HS3M R7G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ HS3M R7G

Artikelnummer
HS3M R7G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Produktparameter

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Artikelnummer HS3M R7G
Teilstatus Not For New Designs
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 1000V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 3A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 75ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 10µA @ 1000V
Kapazität @ Vr, F 50pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-214AB, SMC
Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 150°C

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