ESH3B M6G

DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
ESH3B M6G P1
ESH3B M6G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Taiwan Semiconductor Corporation ~ ESH3B M6G

Artikelnummer
ESH3B M6G
Hersteller
Taiwan Semiconductor Corporation
Beschreibung
DIODE GEN PURP 100V 3A DO214AB
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Dioden - Gleichrichter - Einzeln
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Artikelnummer ESH3B M6G
Teilstatus Not For New Designs
Dioden-Typ Standard
Spannung - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) 3A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 900mV @ 3A
Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 20ns
Strom - Rückwärtsleckage @ Vr 5µA @ 100V
Kapazität @ Vr, F 45pF @ 4V, 1MHz
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall DO-214AB, SMC
Lieferantengerätepaket DO-214AB (SMC)
Betriebstemperatur - Kreuzung -55°C ~ 175°C

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