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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | STWA50N65DM2AG |
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| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 38A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 87 mOhm @ 19A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 69nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±25V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3200pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 300W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-247 |
| Paket / Fall | TO-247-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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STWA50N65DM2AG | STMicroelectronics | POWER TRANSISTORS | - | 12875 | Einzelheiten |
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STWA57N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 42A TO247 | - | 117 | Einzelheiten |