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Sanken ~ 2SK3800VR

Artikelnummer	2SK3800VR
Teilstatus	Active
FET Typ	N-Channel
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss)	40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C	70A (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds	5100pF @ 10V
Vgs (Max)	±20V
FET-Eigenschaft	-
Verlustleistung (Max)	80W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs	6 mOhm @ 35A, 10V
Betriebstemperatur	150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Lieferantengerätepaket	TO-220S
Paket / Fall	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Artikelnummer	Hersteller	Beschreibung	PDF	Auf Lager	Aussicht
2SK01980RL	Panasonic Electronic Components	JFET N-CH 20MA 150MW MINI-3		3000	Einzelheiten
2SK060100L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 80V 500MA MINI-PWR		0	Einzelheiten
2SK0601G0L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 80V 0.5A MINIP-3		0	Einzelheiten
2SK0615	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 80V 500MA 3-SIP		0	Einzelheiten
2SK06620RL	Panasonic Electronic Components	JFET N-CH 20MA 150MW SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK06630RL	Panasonic Electronic Components	JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK0663GRL	Panasonic Electronic Components	JFET N-CH 30MA 150MW SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK066400L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK0664G0L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 50V 100MA SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK066500L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 20V 100MA SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK0665G0L	Panasonic Electronic Components	MOSFET N-CH 20V .1A SMINI-3		0	Einzelheiten
2SK1058-E	Renesas Electronics America	MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P	-	0	Einzelheiten