VT6T12T2R

TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
VT6T12T2R P1
VT6T12T2R P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Rohm Semiconductor ~ VT6T12T2R

Artikelnummer
VT6T12T2R
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS GP BJT PNP 50V 0.1A 6-PIN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
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Produktparameter

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Artikelnummer VT6T12T2R
Teilstatus Active
Transistor-Typ 2 PNP (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 5mA, 50mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 6V
Leistung max 150mW
Frequenz - Übergang 300MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 6-SMD, Flat Leads
Lieferantengerätepaket VMT6

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