EMD9T2R

TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
EMD9T2R P1
EMD9T2R P2
EMD9T2R P1
EMD9T2R P2
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Rohm Semiconductor ~ EMD9T2R

Artikelnummer
EMD9T2R
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays, mit Vorspannung
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Artikelnummer EMD9T2R
Teilstatus Active
Transistor-Typ 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 47k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-563, SOT-666
Lieferantengerätepaket EMT6

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