DTC123EMT2L

TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
DTC123EMT2L P1
DTC123EMT2L P2
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Rohm Semiconductor ~ DTC123EMT2L

Artikelnummer
DTC123EMT2L
Hersteller
Rohm Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 150MW VMT3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
DTC123EMT2L.pdf DTC123EMT2L PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer DTC123EMT2L
Teilstatus Active
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 2.2k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 2.2k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 20mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500nA
Frequenz - Übergang 250MHz
Leistung max 150mW
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall SOT-723
Lieferantengerätepaket VMT3

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