PN100_G

INTEGRATED CIRCUIT
PN100_G P1
PN100_G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ PN100_G

Artikelnummer
PN100_G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
INTEGRATED CIRCUIT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer PN100_G
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 500mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 45V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 5V
Leistung max 625mW
Frequenz - Übergang 250MHz
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Lieferantengerätepaket TO-92-3

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