NTNS3A65PZT5G

MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
NTNS3A65PZT5G P1
NTNS3A65PZT5G P1
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ON Semiconductor ~ NTNS3A65PZT5G

Artikelnummer
NTNS3A65PZT5G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 0.281A SOT883
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer NTNS3A65PZT5G
Teilstatus Active
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 281mA (Ta)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 1.1nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 44pF @ 10V
Vgs (Max) ±8V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 155mW (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 1.3 Ohm @ 200mA, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket SOT-883 (XDFN3) (1x0.6)
Paket / Fall SC-101, SOT-883

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