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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | NSBA123JDXV6T1G |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| Transistor-Typ | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 100mA |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 50V |
| Widerstand - Basis (R1) (Ohm) | 2.2k |
| Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) | 47k |
| Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
| Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
| Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) | 500nA |
| Frequenz - Übergang | - |
| Leistung max | 500mW |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-563 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NSBA113EDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | 0 | Einzelheiten | |
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NSBA113EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT563 | - | 0 | Einzelheiten |
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NSBA113EF3T5G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL PNP | - | 0 | Einzelheiten |
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NSBA114EDP6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.338W SOT963 | - | 0 | Einzelheiten |
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NSBA114EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | - | 60000 | Einzelheiten |
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NSBA114EDXV6T5 | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | 0 | Einzelheiten | |
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NSBA114EDXV6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | 0 | Einzelheiten | |
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NSBA114EF3T5G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | - | 0 | Einzelheiten |
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NSBA114TDP6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.408W SOT963 | - | 0 | Einzelheiten |
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NSBA114TDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | 0 | Einzelheiten | |
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NSBA114TDXV6T5 | ON Semiconductor | TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563 | 0 | Einzelheiten | |
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NSBA114TF3T5G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123 | - | 0 | Einzelheiten |