NGTB10N60R2DT4G

IGBT 10A 600V DPAK
NGTB10N60R2DT4G P1
NGTB10N60R2DT4G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NGTB10N60R2DT4G

Artikelnummer
NGTB10N60R2DT4G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 10A 600V DPAK
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer NGTB10N60R2DT4G
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 20A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 40A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 10A
Leistung max 72W
Energie wechseln 412µJ (on), 140µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 53nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 48ns/120ns
Testbedingung 300V, 10A, 30 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 90ns
Betriebstemperatur 175°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Lieferantengerätepaket DPAK

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