NE5230DR2G

IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
NE5230DR2G P1
NE5230DR2G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

ON Semiconductor ~ NE5230DR2G

Artikelnummer
NE5230DR2G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IC OPAMP GP 600KHZ RRO 8SOIC
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- NE5230DR2G PDF online browsing
Familie
Linear - Verstärker - Instrumentierung, Operationsverstärker, Puffer-Verstärker
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Produktparameter

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Artikelnummer NE5230DR2G
Teilstatus Active
Verstärkertyp General Purpose
Anzahl der Schaltungen 1
Ausgabetyp Rail-to-Rail
Anstiegsrate 0.25 V/µs
Bandbreitenprodukt erhalten 600kHz
-3db Bandbreite -
Aktuell - Eingangsabweichung 40nA
Spannung - Eingangsoffset 400µV
Strom - Versorgung 1.1mA
Strom - Ausgang / Kanal 32mA
Spannung - Versorgung, Single / Dual (±) 1.8 V ~ 15 V, ±0.9 V ~ 7.5 V
Betriebstemperatur 0°C ~ 70°C
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SOIC

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