HGTP7N60A4-F102

N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
HGTP7N60A4-F102 P1
HGTP7N60A4-F102 P1
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ON Semiconductor ~ HGTP7N60A4-F102

Artikelnummer
HGTP7N60A4-F102
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer HGTP7N60A4-F102
Teilstatus Active
IGBT-Typ -
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 34A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 56A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Leistung max 125W
Energie wechseln 55µJ (on), 150µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 60nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 11ns/100ns
Testbedingung 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) -
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-220-3
Lieferantengerätepaket TO-220-3

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