FGH40N60SMDF-F085

IGBT 600V 80A 349W TO247
FGH40N60SMDF-F085 P1
FGH40N60SMDF-F085 P1
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ON Semiconductor ~ FGH40N60SMDF-F085

Artikelnummer
FGH40N60SMDF-F085
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 80A 349W TO247
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Einzeln
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Artikelnummer FGH40N60SMDF-F085
Teilstatus Active
IGBT-Typ Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 80A
Strom - Kollektorimpuls (Icm) 120A
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
Leistung max 349W
Energie wechseln 1.3mJ (on), 260µJ (off)
Eingabetyp Standard
Gate Ladung 122nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C 18ns/110ns
Testbedingung 400V, 40A, 6 Ohm, 15V
Reverse Wiederherstellungszeit (trr) 90ns
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-247-3
Lieferantengerätepaket TO-247-3

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