FDZ191P_P

MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
FDZ191P_P P1
FDZ191P_P P1
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ON Semiconductor ~ FDZ191P_P

Artikelnummer
FDZ191P_P
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
MOSFET P-CH 20V 3A 6WLCSP
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer FDZ191P_P
Teilstatus Obsolete
FET Typ P-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 20V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Vgs (Max) ±8V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 800pF @ 10V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 1.9W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-WLCSP (1.0x1.5)
Paket / Fall 6-UFBGA, WLCSP

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