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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSS123LT1G |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 170mA (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 20pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 225mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 6 Ohm @ 100mA, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | SOT-23-3 (TO-236) |
| Paket / Fall | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS100 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 220MA TO92 | - | 19310 | Einzelheiten |
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BSS110 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 | - | 19310 | Einzelheiten |
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BSS119 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSS119 E7796 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSS119 E7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSS119E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Einzelheiten | |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | 3000 | Einzelheiten | |
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BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | - | 0 | Einzelheiten |
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BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | - | 534000 | Einzelheiten |
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BSS123 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Einzelheiten |