BSR58LT1G

JFET N-CH 40V 350MW SOT23
BSR58LT1G P1
BSR58LT1G P1
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ON Semiconductor ~ BSR58LT1G

Artikelnummer
BSR58LT1G
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
JFET N-CH 40V 350MW SOT23
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - JFETs
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Artikelnummer BSR58LT1G
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Spannungsabfall (V (BR) GSS) 40V
Drain auf Source-Spannung (Vdss) -
Strom - Abfluss (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 8mA @ 15V
Stromabfluss (Id) - Max -
Spannung - Abschaltung (VGS aus) @ Id 800mV @ 1µA
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds -
Widerstand - RDS (Ein) 60 Ohm
Leistung max 350mW
Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Lieferantengerätepaket SOT-23-3 (TO-236)

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