2SB817C-1E

TRANS PNP 140V 12A
2SB817C-1E P1
2SB817C-1E P1
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ON Semiconductor ~ 2SB817C-1E

Artikelnummer
2SB817C-1E
Hersteller
ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP 140V 12A
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln
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Artikelnummer 2SB817C-1E
Teilstatus Active
Transistor-Typ PNP
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 12A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 140V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 2V @ 500mA, 5A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 100µA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1A, 5V
Leistung max 120W
Frequenz - Übergang 10MHz
Betriebstemperatur 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-3P-3, SC-65-3
Lieferantengerätepaket TO-3P-3L

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