Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMWD20XN,118 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 10.4A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22 mOhm @ 4.2A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 11.6nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 16V |
| Leistung max | 4.2W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| Lieferantengerätepaket | 8-TSSOP |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMWD15UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP | - | 0 | Einzelheiten |
 |
PMWD16UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 9.9A 8TSSOP | 0 | Einzelheiten | |
 |
PMWD19UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP | 0 | Einzelheiten | |
 |
PMWD20XN,118 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 10.4A 8TSSOP | 0 | Einzelheiten | |
 |
PMWD26UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 20V 7.8A 8TSSOP | 0 | Einzelheiten | |
 |
PMWD30UN,518 | NXP USA Inc. | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP | 0 | Einzelheiten |