PDTC114ES,126

TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
PDTC114ES,126 P1
PDTC114ES,126 P2
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ PDTC114ES,126

Artikelnummer
PDTC114ES,126
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
PDTC114ES,126.pdf PDTC114ES,126 PDF online browsing
Familie
Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzeln, mit Vorspannung
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Produktparameter

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Artikelnummer PDTC114ES,126
Teilstatus Obsolete
Transistor-Typ NPN - Pre-Biased
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 50V
Widerstand - Basis (R1) (Ohm) 10k
Widerstand - Emitter Basis (R2) (Ohm) 10k
Gleichstromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Vce Sättigung (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 10mA
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 1µA
Frequenz - Übergang -
Leistung max 500mW
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Lieferantengerätepaket TO-92-3

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